晶振頻率電子元件里的負載電容尤為重要,這直接關系著電子產品能否正常使用操作,負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同.標稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同.因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率,一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振:另一個為并聯揩振晶振的高負載電容晶振.所以,標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常.本文討論的是一種常見的用并聯負載電容配置晶振的方法,也即皮爾斯震蕩器(Pierce振蕩器).
通常來說,給晶振選擇負載電容最好的切入點是規格書上的物料驅動標稱值.我們就拿ATMEGA328PB-MU來舉例.
請注意,16Mhz晶體用于5V應用.與此同時,像3.3V這樣的較低電壓需要在應用中使用較慢的有源晶振.Microchip規格書中的建議是:在3.3V應用中把晶體速度設置為8Mhz.

Ce-外部電容,電路圖中為C1和C2
Ci是引腳電容
CL是晶體原廠定義的負載電容
CS是單片機上的一個XTAL引腳上的總寄生電容.
我們繼續以原廠評估板上的元件為例,即ATMEGA328PB-XMINI.
評估板上使用的晶體的零件料號為:TSX-3225晶振16.0000MF09Z-AC3
原廠為該晶體指定的負載電容為9pF.
一般寄生電容值通常介于2pF至5pF之間.確保將晶體放置在盡可能靠近單片機的位置,以避免由此值可能出現的問題.
所以套用上面的公式
(2x晶體負載電容)-寄生電容
(2*9Pf)-5pf=13pF
XplainedMiniATMEGA328PB板的電路圖顯示它們使用了12pF負載電容

大多數情況下,上述信息足以完成石英晶體振蕩器振蕩電路. 然而,由于大多數人無法測量實際的寄生電容,因此寄生電容值具有不確定性.并且,設計人員也可能沒有把晶體放在盡可能靠近零件的位置.
大多數情況,貼片晶振可靠性至關重要,且環境溫度可能會影響電容應用,在此情況下,設計人員可以遵循一種稱為安全系數的做法.
用安全系數進行測試的快速方法是基于上述負載電容公式,在本例中將13pF視為起始點,并將電容值逐步代入電路中,使其低于和高于示例電路圖中提供的12pF值,直到電路出現故障.
記錄低于和高于13pF的故障值.假設,此例中電路在5pF和25pF時出現故障.
取5pF和25pF的中位數,即(5pf+25pF)/2=15pF
此外,如果是復雜的應用場景,則在現場溫度下進行這些測試.
該測試將考慮電路中的寄生電容,新值15pF將比提供的公式更可靠.如果對電路可靠性的要求較高,或者作為排除間歇性晶振故障的方法,建議應用此測試方法.
OSC晶振的一個缺點是機械沖擊/振動會導致它們失效,在這些情況下,建議使用外部MEMS振蕩器.

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