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首頁進口晶振微晶晶振,2016貼片晶振,CC8V-T1A晶振

微晶晶振,2016貼片晶振,CC8V-T1A晶振

產品型號：78181902
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.6mm
產品介紹：此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現代SMT工藝帶來高速的工作效率

微晶晶振,2016貼片晶振,CC8V-T1A晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現代SMT工藝帶來高速的工作效率
貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩定

微晶晶振規格	單位	CC8V-T1A晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息, http://www.bsgccc.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后，諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率，我們可以通過以下三種方法改進：
方法1：降低產品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價的設計。
我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節省成本，保證安全。請用頻率計數器來測量所述晶體，以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規格，請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率，反之亦然高得多系統不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。

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