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首頁進口晶振SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振

SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振

產品型號：98155162
頻率：1~110MHZ
尺寸：2.9*2.8mm
產品介紹：與普通石英晶振,石英晶體,石英晶體振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設備針對特定的參數進行了優化,因此無法提供基于內存的解決方案提供的...

SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振,普通石英晶振,石英晶體,石英晶體振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設備針對特定的參數進行了優化,因此無法提供基于內存的解決方案提供的組合性能和特性.
在MEMS(微機電系統)技術,模擬CMOS電路設計和開發,以及成本效益的裝配和測試中,SiTime晶振公司具有深厚的技術專長.這些專業技能的結合,都是在SiTime內部進行的,

項目	符號	SiT2001B晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1 MHz to 110 MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.bsgccc.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

SiTime晶振所有產品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振

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